Новосибирские учёные рассказали главе РАН о работах по развитию микроэлектроники

Новосибирские учёные рассказали главе РАН о работах по развитию микроэлектроники
Новосибирские учёные рассказали главе РАН о работах по развитию микроэлектроники

В ходе поездки в Новосибирск Геннадий Красников посетил Академгородок и пообщался с учёными академических институтов. О направлениях своей научной работы президенту РАН рассказали сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, основанный в 1964 году, — это один из крупнейших институтов в новосибирском Академгородке. Он объединяет порядка тысячи учёных, которые вносят вклад в развитие отечественной электронной отрасли. Ключевые направления его работы связаны с физикой полупроводников и диэлектриков, физикой низкоразмерных систем, созданием элементной базы для микроэлектроники, а также актуальными вопросами оптики и лазерной физики. Среди основных технологий института — молекулярно-лучевая эпитаксия — один из самых прогрессивных методов, используемых при создании полупроводниковых материалов.

Экскурсию по институту для президента РАН провёл его директор академик Александр Латышев. Он ознакомил Геннадия Красникова с ключевыми проектами ИФП СО РАН и показал ему выставочное пространство института, где представлены последние достижения научного коллектива.

Новосибирские учёные рассказали главе РАН о работах по развитию микроэлектроники

Заведующие лабораториями ИФП СО РАН рассказали Геннадию Красникову о направлениях своей работы. В частности, о разработке электронно-компонентной базы для СВЧ- электроники, фотоники и радиофотоники (Дмитрий Гуляев); динамическом пространственном фазовом модуляторе света на жидких кристаллах с мегапиксельным разрешением (Сергей Мутилин); разработках структур кремний на изоляторе, в том числе с использованием диоксида гафния (Владимир Попов); твердотельной и вакуумной спинтронике и оптоэлектронике (Олег Терещенко); молекулярно-лучевой эпитаксии в открытом космосе (Александр Никифоров); разработке отечественного оптического интерферометра (Дмитрий Щеглов); создании отечественных эллипсометров (Василий Швец).

В ходе осмотра экспозиции Геннадий Красников также заслушал сообщения сотрудников института об эллипсометре для терагерцового диапазона, вигнеровской кристаллизации локализованных электронов в SONOS/ТАНОС флэш-памяти, а также о сенсорах на основе графена. Последние позволяют оценивать состояние здоровья по выдыхаемому воздуху, уровень глюкозы и состояние нервной системы человека по поту.

Ранее академик Геннадий Красников встретился с учёными Сибирского отделения Российской академии наук и обсудил с ними актуальные вопросы развития регионального отделения.

Нажимая на кнопку «Подписаться», вы соглашаетесь с Политикой об обработке персональных данных и даёте согласие на обработку персональных данных.Отозвать своё согласие на обработку персональных данных можно, заполнив форму отзыва согласия и отправив её по адресу электронной почты: press@pran.ru.