Академик Чаплыгин Юрий Александрович

Юрий Александрович Чаплыгин родился 12 июля 1951 года в Курске.

В 1974 году окончил с отличием физико-технический факультет Московского института электронной техники (МИЭТ). Далее вся трудовая деятельность неразрывно связана с МИЭТ, в развитие которого он внёс огромный вклад. В 1974–1983 гг. — аспирант, младший научный сотрудник, ассистент кафедры общей физики, в 1984–1987 гг. — заместитель проректора по научной работе, в 1987–1988 гг. — секретарь парткома МИЭТ, в 1988–1998 гг. — проректор по научной работе, в 1998–2016 гг. — ректор МИЭТ. С 2016 года — президент МИЭТ.

С 1999 года по 2023 год Ю.А. Чаплыгин заведовал кафедрой интегральной электроники и микросистем. Сейчас является научным руководителем Института интегральной электроники имени академика К.А. Валиева (ИнЭл).

В 1982 году защитил кандидатскую диссертацию «Исследование ионных диффузионно-дрейфовых процессов в диэлектрических слоях МДП-структур и их влияние на характеристики полевых приборов», в 1995 году защитил докторскую диссертацию «Кремниевые микроэлектронные датчики на основе КМОП конструктивно-технологического базиса», с 1997 года — профессор.

Член-корреспондент РАН с 2003 года, академик РАН с 2016 года — Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.

Академик Ю.А. Чаплыгин — известный учёный в области микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники, нанотехнологий. Под его руководством проведены работы по исследованию физических и конструктивно-технологических факторов, определяющих основные характеристики микросистем и систем на кристалле, решены фундаментальные и прикладные проблемы создания интегрированных устройств приёма и обработки информации на основе технологий микро- и наноэлектроники.

Ю.А. Чаплыгиным исследованы физические и конструктивно-технологические факторы, определяющие основные характеристики микросистем и систем на кристалле. На основе полученных им научных результатов разработан и освоен в производстве ряд интегрированных систем, которые используются в аппаратуре телефонной связи, криптографической и специальной аппаратуре.

При непосредственном участии Ю.А. Чаплыгина разработаны научные и технологические основы создания элементной базы микросистемной техники, создан ряд преобразователей физических величин: линейного ускорения, угловой скорости, давления, индукции магнитного поля и др., впервые в Российской Федерации разработаны технологии производства инерциальных измерительных приборов и систем.

Член оргкомитетов ряда международных и российских научных конференций. В 2015 году по инициативе Ю.А. Чаплыгина была создана Ассоциация российских вузов, осуществляющих подготовку кадров для предприятий радиоэлектронной промышленности, которую он возглавляет по настоящее время.

Почти двадцать лет Ю.А. Чаплыгин руководил МИЭТ. В начале 2000-х годов под его руководством в МИЭТ началась подготовка студентов по таким направлениям, как нанотехнологии, телекоммуникации, микросистемная техника, иностранные языки, дизайн. Под его руководством проведена реорганизация кафедр и факультетов. Получил развитие учебно-научно-производственный комплекс МИЭТ за счёт расширения и совершенствования инновационной структуры вуза. Созданы учебные центры в партнёрстве с ведущими международными компаниями, такими как Cadence, Synopsys, Mentor Graphics и др., в которых реализуются уникальные магистерские программы по подготовке разработчиков интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры. Расширилось сотрудничество МИЭТ с Институтами РАН. В эти годы на базе МИЭТ был сформирован уникальный учебно-научно-инновационный кластер электроники, отличительной особенностью которого является наличие полного цикла разработки и создания изделий электронной техники и подготовки кадров.

В 2006 году в числе первых 17 вузов страны МИЭТ победил в конкурсе вузов, реализующих программы инновационного развития в рамках Национального проекта Российской Федерации «Образование». Сегодня Национальный исследовательский университет «МИЭТ» — ведущий технический вуз России в области высоких технологий.

Ю.А. Чаплыгин является руководителем научной школы, подготовил 4 докторов наук и 10 кандидатов наук.

Он — автор и соавтор более 300 научных трудов, в том числе 5 монографий и 33 авторских свидетельств и патентов. Специалистам известны его труды, написанные индивидуально или в соавторстве. «0.5-ЦТ SOI CMOS for extreme temperature applications», «Нанотехнологии в электронике-3.1», «Tungsten alloyed with rhenium as an advanced material for heat-resistant Silicon ICs interconnects», «Low-threshold field emission in planar cathodes with nanocarbon materials», «Features of local anodic oxidation process», «Simulation of characteristics and optimization of the constructive and technological parameters of integrated magnetosensitive elements in micro and nanosystems», «Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям», «Численное моделирование влияния углерода в активной базе на быстродействие SIGe ГБТ», «Характеристики хлоридных мемристоров на основе металлических плёнок наноразмерной толщины», «Исследование электрических характеристик кмоп-кни — структур с проектными нормами 0,5 мкм для высокотемпературной электроники», «Особенности процессов обработки и передачи информации в вычислительных устройствах», «Исследование быстродействия SIGe ГБТ при переходе к СУБ-100 НМ топологическим размерам», «Определение размеров нанообъектов в пористых системах, дефектных материалах и наноматериалах на основе кремния и в облучённых металлах и сплавах по методу позитронной аннигиляционной спектроскопии», «Research and development of capacitive transducer with linear acceleration», «Особенности измерений в магнитно-силовой микроскопии», «Noise protected 1-OF-4 coding system with active zero for computing systems», «Выбор оптимальных режимов измерений в сканирующей электропроводящей микроскопии», «Моделирование характеристик и оптимизация конструктивно-технологических параметров интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем», «Моделирование распыления материалов фокусированным ионным пучком», «Simulation of material sputtering with a focused ion beam», «Influence of cmos hall effect sensor layout on its magnetic sensitivity», «VBIC model application features at design of ASIC on SIGe HBT», «Electro static discharge for BiCMOS IC», «Modification of cantilevers for atomic — force microscopy using the method of exposure defocused ion beam», «Особенности профессиональной стандартизации в области проектирования изделий наноэлектроники», «Помехозащищённая система кодирования „1 из 4” с активным нулём для вычислительных систем», «Исследование влияния топологии КМОП-совместимого элемента Холла на его магниточувствительность», «Особенности применения модели VBIC при проектировании ИМС на SIGe биполярных транзисторах», «Электростатическая защита БиКМОП микросхем», «Разработка и исследование мемристоров на основе металлических плёнок наноразмерной толщины», «Investigation of electrical properties of organic memristors based on thin polyaniline-graphene films», «Cхемотехнические способы реализации метода импульсной подкачки мощности в многофазных адиабатических драйверах резонансного типа», «Исследование электрических свойств органических мемристоров на основе тонких плёнок полианилин-графенов», «Исследование влияния конструктивных параметров кантилеверов на чувствительность метода магнитной силовой микроскопии», «Разработка биморфного термоактюатора и конструкции микрозеркала на его основе», «Dependence of the thermal resistance of a powerful MOSFET on a silicon-on-insulator substrate on the construction-technological parameters of ITS structure», «Cхемотехническая реализация блоков системы авторегулирования кольцевого адиабатического драйвера», «Модель учёта рельефа границы раздела SI/SIO 2 наноразмерного МДП-транзистора в среде TCAD Sentaurus», «Резонансный энергоэффективный драйвер», «Possible synergetic approaches to the explanation of nanomaterials high properties» и др.

Главный редактор журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника», входит в состав редколлегии научного издания «Микроэлектроника», член редколлегий ещё четырёх научно-технических журналов.

С 2022 года — заместитель академика-секретаря Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, руководитель Секции вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем и элементной базы ОНИТ РАН, заместитель председателя бюро Научного совета РАН «Фундаментальные проблемы создания и функционирования телекоммуникационных систем». В течение многих лет являлся членом ВАК, членом Совета по премиям Правительства Российской Федерации в области науки и техники, заместителем председателя Совета по грантам Президента Российской Федерации для поддержки молодых учёных и ведущих научных школ. Председатель Докторского диссертационного совета.

Награждён орденом Дружбы, орденом Почёта, орденом Александра Невского, медалями.

Лауреат премии Президента Российской Федерации в области образования, лауреат премии Правительства Российской Федерации в области образования. Трижды лауреат премий Правительства Российской Федерации в области науки и технологий за разработку и внедрение в промышленность ряда изделий микроэлектроники и микросистемной техники в составе авторских коллективов.

Отмечен юбилейной медалью «300 лет Российской академии наук».