Высокоселективные отражатели для отпаянных лазеров с короткоживущей инверсией

Исследована структура и определены условия формирования однопучкового излучения с дифракционной расходимостью и высокой стабильностью положения оси диаграммы направленности. В лазерах на парах меди (ЛПМ) и лазерной системе на парах меди (ЛСПМ) с таким качеством излучения с применением промышленных отпаянных активных элементов (АЭ) серий «Кулон» мощностью излучения 10-20 Вт и «Кристалл» мощностью 30-50 Вт плотность пиковой мощности в сфокусированном пятне диаметром 10-20 мкм достигает значений 10 11 -10 12 Вт/см 2 , достаточной для многочисленных и разнообразных применений в науке, технике и медицине. При этом обеспечивается на порядок и более высокая производительность по сравнению с традиционными способами.

Издатель
Отделение физических наук
Тематическое отделение
Авторы
Лябин Н.А.
Чурсин А.Д.
Парамонов В.С.
Клименко В.И.
Парамонова Г.М.
Колоколов И.С.
Бетина Л.Л.
Асратян А.А.
Феофанов И.Н.
Год издания
2017
ISBN
978–5–906906–17–5
УДК
66.088
ББК
34.5

<p>
Исследована структура и определены условия формирования однопучкового излучения с дифракционной расходимостью и высокой стабильностью положения оси диаграммы направленности. В лазерах на парах меди (ЛПМ) и лазерной системе на парах меди (ЛСПМ) с таким качеством излучения с применением промышленных отпаянных активных элементов (АЭ) серий «Кулон» мощностью излучения 10-20 Вт и «Кристалл» мощностью 30-50 Вт плотность пиковой мощности в сфокусированном пятне диаметром 10-20 мкм достигает значений 10 11 -10 12 Вт/см 2 , достаточной для многочисленных и разнообразных применений в науке, технике и медицине. При этом обеспечивается на порядок и более высокая производительность по сравнению с традиционными способами.
</p>

Нажимая на кнопку «Подписаться», вы соглашаетесь с Политикой об обработке персональных данных и даёте согласие на обработку персональных данных.Отозвать своё согласие на обработку персональных данных можно, заполнив форму отзыва согласия и отправив её по адресу электронной почты: press@pran.ru.