Физика и техника полупроводников
Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения
- Учредители
- Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наукФедеральное государственное бюджетное учреждение «Российская академия наук»
- Издатель
- Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
- Отделение РАН
- Отделение физических наук
- Главный редактор
- Иванов Сергей Викторович
- Научно-методическое руководство
- Отделение физических наук
- ISSN печатной версии
- 0015-3222
- Выпусков в год
- 12
- Двухлетний импакт-фактор РИНЦ
- 0,979
- Пятилетний импакт-фактор РИНЦ
- 0,804
- Индексация в библиографических базах
- eLIBRARY.RURSCIРИНЦЯдро РИНЦПеречень ВАК
Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения
Общий академический рейтинг RSCI: 0,357 (270 из 777)
Тематический академический рейтинг RSCI: 1,551 (36 из 59)
Руководство журнала
главный редактор
Иванов Сергей Викторович
+7 (812) 292-7999ivanovsv@mail.ioffe.ru
Контакты
- Адрес
- 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН.
- Телефон
- (812) 297-43-24
Архив журнала
Архив выпусков
Выпуски расположены от новых к старым. Внутри каждого выпуска доступны статьи и прикреплённый PDF.
Выпуски появятся после публикации в CMS.