Векслер Михаил Исаакович

Научные интересы

Исследование поведения туннельных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектрическим слоем и приборов на их основе в режимах с высокой плотностью тока.

Изучение эффектов, связанных с инжекцией горячих носителей заряда через диэлектрик и последующей энергетической релаксацией этих носителей (посредством ударной ионизации и/или оптических переходов).

Анализ влияния флуктуаций параметров твердотельных приборов с тонкими плёнками на их электрические характеристики.

Апробация различных новых диэлектрических материалов с высокой диэлектрической проницаемостью (пример: CaF2).

Современные полевые транзисторы, в том числе с каналом из двумерных материалов (MoS2).

Преподавание физики, пропаганда научных знаний.

Персональные профили исследователя

• Web of Science: E-2423-2014.
• Scopus: 6701775970.
• РИНЦ: 23416.
• ORCID: 0000-0002-9966-520X.

Место работы и должность

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук, в.н.с. — и.о. зав. лаб.