Шальников Александр Иосифович

Биография

Специалист в области физики твердого тела и физики низких температур

Член-корреспондент АН СССР по Отделению физико-математических наук (физика) с 4 декабря 1946 г., академик по Отделению общей физики и астрономии (физика, астрономия) с 15 марта 1979 г.

Физик-экспериментатор. Автор тончайших экспериментальных исследований и уникальных приборов в области физики низких температур (промежуточное состояние сверхпроводников, свойства жидкого и твердого гелия, квантовые кристаллы и их получение, тонкие металлические пленки, коллоиды, свойства вакуума и др.

Окончил Ленинградский политехнический институт (1928).

Сначала работал в Ленинградском физико-техническом институте, с 1935 — в Институте физических проблем АН СССР, в организации которого принимал активное участие. С 1938 — также профессор Московского университета.

Основные исследования выполнил в области физической химии, физики низких температур, научного приборостроения. Разработал методы получения атомно-дисперсных смесей и коллоидных растворов щелочных металлов в органических жидкостях, создал и усовершенствовал ряд физических приборов (счетчики квантов света, иконоскопы, электронографы). В 1940-50 годах исследовал промежуточное состояние сверхпроводников и свойств тонких сверхпроводящих пленок. Обнаружил резкое возрастание критических полей пленок по сравнению с массивными сверхпроводниками и существенное повышение критической температуры для пленок, сконденсированных на поверхности, охлажденной до гелиевых температур. Впервые получил (1941) надежные доказательства двухфазной природы промежуточного состояния сверхпроводников. Провел цикл работ по изучению свойств жидкого и твердого гелия. Исследования последних лет были посвящены физике квантовых кристаллов, в частности изучению свойств кристаллического гелия. Разработал методику выращивания высокосовершенных монокристаллов гелия и впервые получил кристаллы, в которых были обнаружены квантовые явления — пуазейлевое течение фононного газа и вакансионное движение носителей заряда, исследовал тепловые и механические свойства этих кристаллов.

Нажимая на кнопку «Подписаться», вы соглашаетесь с Политикой об обработке персональных данных и даёте согласие на обработку персональных данных.Отозвать своё согласие на обработку персональных данных можно, заполнив форму отзыва согласия и отправив её по адресу электронной почты: press@pran.ru.