Асеев Александр Леонидович

Член-корреспондент РАН c 2000 г., избран академиком РАН в 2006 г. по Отделению физических наук, с 2008 г. — в Отделении нанотехнологий и информационных технологий.

В 2008-2017 гг. — вице-президент Российской академии наук, дважды избирался председателем СО РАН (2008 г., 2013 г.). Являлся директором Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

Научные интересы

Изучение атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.

Изучены атомные механизмы процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, свойства моноатомных ступеней на поверхности кремния.

Под руководством и при его непосредственном участии разработана технология получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии и технология формирования полупроводниковых структур с квантовыми ямами, использующихся при изготовлении матричных и линейчатых фотоприёмных устройств для нового поколения инфракрасной техники.

При его активном участии разрабатываются нанотранзисторы в структурах кремний-на-изоляторе, новые типы элементов памяти и элементов силовой электроники.

Член научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя Научного совета «Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем» РАН, председатель докторского диссертационного совета, член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Микро- и наносистемная техника», «Российские нанотехнологии», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology».

Профессор филиала Кафедры физики полупроводников Томского государственного университета.

Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации.

Автор и соавтор 200 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.

Награды и премии

• Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени.
• Грамоты и благодарности Государственной Думы Российской Федерации, Федерального агентства по атомной энергии.
  

Место работы и должность

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет», физический факультет, главный научный сотрудник аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы».